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La nouvelle série de transistors IGBT 1350V de Stmicroelectronics améliore la variabilité et l'efficacité

Chaque progrès technologique dans les composants électroniques est comme l'aube du matin, annonçant l'arrivée de nouveaux champs d'application.La dernière version de Stmicroelectronics de la série 1350V IgBT Transistors est non seulement une optimisation continue de la technologie électronique traditionnelle, mais aussi une innovation à pas pour le saut dans le domaine de l'électronique futur.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figure 1: Transistors IGBT de la série Stmicroelectronics 1350V

Avant d'introduire ce nouveau produit, comprenons ce qu'est IGBT (Isulate Gate Bipolar Transistor).Une IGBT est un dispositif de semi-conducteur qui combine l'impédance d'entrée élevée d'un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) avec la faible tension d'activation d'un BJT (transistor bipolaire).En raison de cette caractéristique, le transistor IGBT combine les avantages des deux et a de meilleures caractéristiques de conduction et une capacité de tenue de tension plus élevée par rapport à d'autres dispositifs semi-conducteurs tels que MOSFET et BJT.

La dernière série de transistors IGBT offre des avancées importantes.La tension de panne a été augmentée à 1350 V, tandis que la température de fonctionnement maximale atteint désormais 175 ° C.Ces améliorations ne sont pas seulement numériques;Ils signifient que ces transistors peuvent fonctionner exceptionnellement bien dans des environnements plus exigeants.La tension de panne est un paramètre critique car il détermine la tension de biais inverse maximale qu'un dispositif semi-conducteur peut gérer sans être endommagé.Avec une tension de panne plus élevée, l'appareil peut fonctionner à des tensions élevées sans aucun problème.L'augmentation de la température de fonctionnement est également remarquable, permettant aux transistors IGBT de rester stables même dans des environnements à haute température.Cela devient particulièrement crucial pour les applications avec des exigences de chaleur extrêmes

L'efficacité de conversion de puissance des transistors IGBT de la série STPower IH2 a également attiré une grande attention dans l'industrie.À l'ère de la conservation de l'énergie et de la protection de l'environnement, l'efficacité énergétique est cruciale pour les équipements électroniques modernes.Un point culminant qui ne peut pas être ignoré est la faible valeur de sa tension de saturation VCE (SAT), qui garantit que la consommation d'énergie de l'appareil est minimisée dans l'État, fournissant ainsi un solide soutien pour le fonctionnement stable du système.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figure 2: Transistors IGBT de la série Stmicroelectronics 1350V

La polyvalence de ce nouveau transistor IGBT le rend applicable dans divers paramètres.Non seulement il peut être utilisé dans des équipements de chauffage électromagnétique industriels haut de gamme comme les systèmes d'énergie renouvelable, les bornes de recharge de véhicules électriques et les grandes machines, mais il est également bien adapté aux appareils électroménagers quotidiens tels que les poêles de cuisine, les fours à micro-ondes à fréquences variables,et les cuiseurs à riz.Cela est possible car le transistor IGBT contrôle efficacement les courants électriques substantiels, améliorant l'efficacité et la fiabilité des dispositifs de chauffage électromagnétiques tout en réduisant la consommation d'énergie dans les appareils électroménagers.En fait, les appareils utilisant la technologie des transistors IGBT peuvent réduire la consommation d'énergie jusqu'à 11% par rapport aux méthodes traditionnelles.

L'effet du coefficient de température positif de VCE (SAT) dans les transistors IGBT garantit qu'à mesure que la température augmente, la tension de saturation VCE (SAT) augmente également.Cet effet améliore la distribution de puissance entre plusieurs transistors IgBT parallèles, conduisant à une fiabilité accrue du système.En résumé, lorsque la température augmente, la stabilité du fonctionnement parallèle du transistor IGBT est améliorée.Bien que ce détail technique puisse sembler petit, il joue un rôle crucial pour assurer le fonctionnement constant de l'équipement.

Les deux premiers appareils de cette série, à savoir les 25A STGWA25IH135DF2 et 35A STGWA35IH135DF2, utilisent le package d'alimentation à longue durée à 247, qui offre une dissipation de chaleur supérieure, une résistance mécanique améliorée et des performances électriques améliorées par rapport à d'autres formes de package.

L'innovation technologique de Stmicroelectronics élargit non seulement les choix disponibles pour les ingénieurs électroniques, mais annonce également de nombreuses possibilités sur le marché des composants électroniques futurs.Cette innovation et les progrès continus servent de force motrice pour le développement de la technologie électronique et favorisent les progrès sociaux globaux.Sans aucun doute, cette innovation technologique établit une nouvelle étape dans l'industrie des composants électroniques.En tant qu'ingénieurs électroniques ou observateurs de l'industrie, sommes-nous prêts à adopter ce changement transformateur?L'innovation technologique de Stmicroelectronics nous fournit non seulement plus de choix, mais présente également le potentiel sans limites du futur marché des composants électroniques.

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