Samsung commence le développement de la technologie de processus 1 nm, la production de masse ciblée après 2029

Samsung Electronics aurait commencé à développer son processus de fonderie de semi-conducteur (nm, un million de mètres).Face à un écart de performance actuel avec TSMC dans des nœuds avancés comme le processus 2 nm de future masse, Samsung vise à accélérer sa poussée dans la classe 1nm dans l'espoir de tourner les tables.

Selon les sources de l'industrie le 9 avril, le Semiconductor Research Institute de Samsung a récemment lancé un projet de développement axé sur le processus 1 nm.Des chercheurs sélectionnés qui ont été impliqués dans des processus de pointe tels que 2NM ont été réaffectés pour former le cœur de la nouvelle équipe de projet.Actuellement, le processus le plus avancé sur la feuille de route de la fonderie publique de Samsung est le nœud de 1,4 nm, qui est prévu pour la production de masse en 2027.

La réalisation de la fabrication de 1 nm nécessitera un paradigme de conception entièrement nouveau, ainsi que des outils de nouvelle génération tels que l'équipement de lithographie à haute ouverture numérique numérique (EUV).Les rapports suggèrent que Samsung cible un calendrier post-2029 pour la production de masse de cette technologie.

Samsung est actuellement à la traîne de TSMC dans la technologie de processus 3NM, qui est déjà en production, et dans le nœud 2 nm qui devrait entrer en production cette année.Notamment, TSMC aurait atteint un taux de rendement de plus de 60% pour son processus de 2 nm - sous-étayé en avance sur Samsung - réprimant le géant de la technologie coréenne pour lancer le développement du processus 1 nm plus tôt que prévu initialement.

Dans le même temps, les concurrents de Samsung avancent également avec des technologies de classe 1 nm.TSMC, par exemple, a annoncé en avril 2023 qu'elle commencerait la production de son processus de 1,6 nm (16a) - positionné entre les nœuds de 1,4 nm et 2 nm - dans la seconde moitié de 2026. Cette décision est considérée comme une réponse aux exigences en évolution rapide du marché des semi-conducteurs AI et comme une étanche vers les processus futures.