Samsung Electronics pour développer des produits DRAM LLWD pour les appareils XR de nouvelle génération d'Apple

Il a été signalé que Samsung Electronics est pleinement déterminé à développer des produits DRAM LLWD (Low Lascy Wide IO) spécialement pour les prochains appareils XR de nouvelle génération d'Apple.

En tant que solution révolutionnaire de mémoire haute performance, LLWD DRAM présente une riche conception de broches d'E / S qui atteint une bande passante élevée sans précédent, une latence ultra-faible et une efficacité énergétique.Cela le positionne pour des applications futures étendues dans l'IA de bord, en remplaçant potentiellement la technologie LPDDR existante.

Le casque actuel Apple Vision Pro intègre la puce R1, qui est exclusivement fournie avec LLWD DRAM par SK Hynix.Cette mémoire fournit une bande passante de 256 Go / s et possède une capacité de 1 Go avec huit fois le nombre de broches d'E / S de la mémoire traditionnelle, présentant son avantage significatif dans les vitesses de transfert de données.À titre de comparaison, alors que LPDDR5 a une largeur de 64 bits, le DRAM LLWD fourni par SK Hynix atteint une largeur de 512 bits.

Les rapports indiquent que Samsung Electronics est activement engagé dans la recherche et le développement de la technologie DRAM LLWD, après avoir déjà entré le stade de production à petite échelle.Leur objectif est de capturer des parts de marché de SK Hynix dans ce secteur émergent.

En ce qui concerne les dernières mises à jour sur Apple Vision Pro, les rumeurs de marché suggèrent que le produit de deuxième génération sera évalué entre 1 500 $ et 2 500 $.Si les rumeurs à «demi-prix» sont vraies, les consommateurs pourraient être en mesure d'acquérir ce produit de pointe pour environ 1 750 $, une réduction significative par rapport au prix de 3 500 $ de la première génération de Vision Pro,, améliorant ainsi considérablement sa compétitivité du marché.